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UNIDAD EN ESTADO SOLIDO SAMSUNG 990 EVO 2TB M.2 2280, PCIE GEN 4.0 X4 / 5.0 X2 NVME 2.0 2400 mhz cuenta con una garantía on-siteSSD SAM 990 EVO 2TB M. 2 NVME Velocidad de lectura secuencial de hasta 5000 MB s, Velocidad de escritura secuencial de hasta 4200 MB s, Chip NAND Flash: Samsung V NAND TLC Consideraciones Tipo de Producto : Componente Tipo Operatividad : (NV) Nuevo Foto referencial MARCA SAMSUNG MODELO 990 EVO NUMERO DE PARTE MZ V9E2T0B AM CAPACIDAD 2 TB INTERFAZ PCIe Gen 4. 0 x4 NVMe 2. 0 PCIe Gen 5. 0 x2 NVMe 2. 0 VELOCIDAD DE LECTURA 5000 MB S VELOCIDAD DE
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