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Corriente modo sleep: < 1mA
2 comparadores y una referencia de voltaje programable que lo hace ideal para aplicaciones de nivel analógico/integrado en aplicaciones automotrices o industriales
Consumo de Corriente con Carga: 600 mA Aproximadamente
Este modulo utiliza tecnología de 10 Bits AD
TIP35C Transistor BJT NPN 100V - 25A TO-247 Bluetooth Corriente modo sleep: < 1mATIP35C Transistor BJT NPN 100V 25A TO 247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 125W, aun as, puede controlar dispositivos que consuman hasta 25A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipacin mxima. Su juntura es NPN, con un factor de amplificacin (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 15